Oxide Field Effect Transistor

WO2009075242 Art A1 18. Juni 2009

Anmelder: Canon Kabushiki Kaisha 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009075242
Aktenzeichen: EP08860339
Anmeldetag: 2. Dezember 2008
Veröffentlichung: 18. Juni 2009
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/786

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Canon Kabushiki Kaisha
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Canon

Japanischer Konzern mit Sitz in Tokio, der Kameras, Objektive, Drucker, Kopiergeräte sowie optische und medizinische Bildgebungstechnik entwickelt und herstellt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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