Structure and method for forming field effect transistor with low resistance channel region

WO2009076362 Art A1 18. Juni 2009

Anmelder: Fairchild Semiconductor Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009076362
Aktenzeichen: EP08858712
Anmeldetag: 9. Dezember 2008
Veröffentlichung: 18. Juni 2009
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/76

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Fairchild Semiconductor Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Fairchild Semiconductor

Fairchild Semiconductor war ein US-amerikanischer Halbleiterhersteller, der 2016 von ON Semiconductor übernommen wurde. Das Patentportfolio konzentriert sich fast vollständig auf Halbleiter- und Schaltungstechnik sowie Leistungselektronik. Die Anmeldungen stammen aus den Jahren 2000 bis 2017.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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