Sram cell circuit and method for driving the same

WO2009078220 Art A1 25. Juni 2009

Anmelder: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009078220
Aktenzeichen: EP08862863
Anmeldetag: 28. Oktober 2008
Veröffentlichung: 25. Juni 2009
Rechtsraum: WO
IPC: G11C11/41G11C11/412

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 National Institute of Advanced Industrial Science and Technology

Staatliches japanisches Forschungsinstitut (AIST), das breit angelegte angewandte Forschung in Bereichen wie Materialwissenschaft, Energie, Elektronik und Biotechnologie betreibt.

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Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung

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