Solid-state imaging device and method for fabricating the same

WO2009078299 Art A1 25. Juni 2009

Anmelder: Rohm Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009078299
Aktenzeichen: EP08860988
Anmeldetag: 8. Dezember 2008
Veröffentlichung: 25. Juni 2009
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/146H01L31/10H04N5/33H04N5/335

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Rohm Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Rohm

Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kyoto, spezialisiert auf integrierte Schaltkreise, diskrete Halbleiterbauelemente und Leistungshalbleiter (unter anderem Siliziumkarbid-Bauteile).

2.771 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Nachrichtentechnik & Telekommunikation

Vertreten von