Method For Using an Rc Circuit To Model Trapped Charge in an Electrostatic Chuck

WO2009078949 Art A2 25. Juni 2009

Anmelder: Lam Research Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009078949
Aktenzeichen: EP08861937
Anmeldetag: 12. Dezember 2008
Veröffentlichung: 25. Juni 2009
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/68H02N13/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Lam Research Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

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Fachgebiete

Elektrische Energietechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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