Gallium arsenide semiconductor material incorporating bismuth and process for epitaxial growth

WO2009079777 Art A1 2. Juli 2009

Anmelder: The University of British Columbia 🇨🇦

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009079777
Aktenzeichen: EP08863460
Anmeldetag: 19. Dezember 2008
Veröffentlichung: 2. Juli 2009
Rechtsraum: WO
IPC: H01L33/00C30B23/04C30B23/06H05B33/10H01L21/20

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: The University of British Columbia
Land: 🇨🇦 Kanada

🇨🇦 University of British Columbia

Kanadische öffentliche Forschungsuniversität mit Hauptsitz in Vancouver, gegründet 1908.

491 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Elektronik & Schaltungstechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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