Nitride semiconductor light emitting diode, nitride semiconductor laser element, methods for manufacturing such diode and element, and method for forming nitride semiconductor layer

WO2009081762 Art A1 2. Juli 2009

Anmelder: SANYO Electric Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009081762
Aktenzeichen: EP08864423
Anmeldetag: 12. Dezember 2008
Veröffentlichung: 2. Juli 2009
Rechtsraum: WO
IPC: H01L33/00H01S5/323

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SANYO Electric Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sanyo Electric

Ehemaliger japanischer Elektronikkonzern mit Sitz in Osaka, seit 2011 Teil des Panasonic-Konzerns. Sanyo war aktiv in Unterhaltungselektronik, Halbleitern, Batterietechnik und Solartechnologie.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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