Etching method for metal film and metal oxide film, and manufacturing method for semiconductor device
WO2009084194
Art A1
9. Juli 2009
Anmelder: Tokyo Electron Limited 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2009084194
- Aktenzeichen
- EP08868182
- Anmeldetag
- 25. Dezember 2008
- Veröffentlichung
- 9. Juli 2009
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/3065
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Tokyo Electron Limited
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Tokyo Electron
Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.
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