Semiconductor substrate, method for manufacturing semiconductor substrate, and electronic device

WO2009084238 Art A1 9. Juli 2009

Anmelder: Sumitomo Chemical Company, Limited, The University of Tokyo 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009084238
Aktenzeichen: EP08867164
Anmeldetag: 26. Dezember 2008
Veröffentlichung: 9. Juli 2009
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/20H01L21/205H01L21/331H01L21/338H01L29/26H01L29/737H01L29/778H01L29/812

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Sumitomo Chemical Company, Limited
The University of Tokyo
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Chemical

Japanischer Chemiekonzern mit Sitz in Tokio, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Petrochemie, Agrochemie, Pharmazeutika, Elektronikmaterialien, Energiematerialien und Kunststoffen.

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🇯🇵 University of Tokyo

Japanische Universität mit Sitz in Tokio, eine der führenden Forschungsuniversitäten Asiens. Die Universität ist in nahezu allen wissenschaftlichen und technischen Disziplinen aktiv, darunter Materialwissenschaften, Elektrotechnik, Biotechnologie und Medizin.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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