Fabricating method for micro gas sensor and the same
WO2009084871
Art A1
9. Juli 2009
Anmelder: Korea Electronics Technology Institute 🇰🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2009084871
- Aktenzeichen
- EP08868045
- Anmeldetag
- 26. Dezember 2008
- Veröffentlichung
- 9. Juli 2009
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- G01N27/12
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Korea Electronics Technology Institute
- Land
- 🇰🇷 Südkorea
🇰🇷
Korea Electronics Technology Institute
Staatlich gefördertes südkoreanisches Forschungsinstitut für Elektronik- und IT-Technologien mit Sitz in Seongnam, das Unternehmen bei Entwicklung und Kommerzialisierung neuer Technologien unterstützt.
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