Two terminal nonvolatile memory using gate controlled diode elements

WO2009085075 Art A1 9. Juli 2009

Anmelder: SanDisk 3D LLC 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009085075
Aktenzeichen: EP08868400
Anmeldetag: 5. November 2008
Veröffentlichung: 9. Juli 2009
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/102H01L29/861H01L29/868G11C11/36G11C13/02G11C16/02G11C17/06H01L27/06H01L27/24H01L27/28H01L29/739

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SanDisk 3D LLC
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 SanDisk 3D

SanDisk 3D war eine auf dreidimensionale Speichertechnologien spezialisierte Tochtergesellschaft von SanDisk, heute Teil von Western Digital. Das Patentportfolio konzentriert sich sehr stark auf Halbleiterbauelemente sowie Akustik- und Datenspeichertechnik. Die Anmeldungen aus 2001 bis 2014 betreffen unter anderem vertikale Feldeffekttransistoren und 1T-1R-Speicherzellen.

308 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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