Transistor having raised source/drain self-aligned contacts and method of forming same

WO2009085520 Art A2 9. Juli 2009

Anmelder: Intel Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009085520
Aktenzeichen: EP08866189
Anmeldetag: 26. November 2008
Veröffentlichung: 9. Juli 2009
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/336H01L29/78

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Intel Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Intel

US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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