Etch with high etch rate resist mask

WO2009085564 Art A2 9. Juli 2009

Anmelder: Lam Research Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009085564
Aktenzeichen: EP08866450
Anmeldetag: 5. Dezember 2008
Veröffentlichung: 9. Juli 2009
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/027H01L21/30

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Lam Research Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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