Multiple level cell memory device with improved reliability

WO2009085663 Art A2 9. Juli 2009

Anmelder: Micron Technology, INC. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009085663
Aktenzeichen: EP08866118
Anmeldetag: 12. Dezember 2008
Veröffentlichung: 9. Juli 2009
Rechtsraum: WO
IPC: G11C16/10G11C16/12G11C16/04

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Micron Technology, INC.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung

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