Passivation Layer Formation By Plasma Clean Process To Reduce Native Oxide Growth

WO2009085958 Art A2 9. Juli 2009

Anmelder: Applied Materials, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009085958
Aktenzeichen: EP08867111
Anmeldetag: 18. Dezember 2008
Veröffentlichung: 9. Juli 2009
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/302H01L21/30

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Applied Materials, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Applied Materials

US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von