Memory device comprising a silicon nitride charge storage layer doped with boron

WO2009086157 Art A1 9. Juli 2009

Anmelder: Spansion LLC 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009086157
Aktenzeichen: EP08869223
Anmeldetag: 19. Dezember 2008
Veröffentlichung: 9. Juli 2009
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/28H01L21/318H01L29/51H01L29/423

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Spansion LLC
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Spansion

Spansion war ein US-amerikanischer Halbleiterhersteller, der auf Flash-Speicher spezialisiert war und später in Cypress Semiconductor aufging. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Datenspeichertechnik, ergänzt um Software. Anmeldungen stammen aus den Jahren 2000 bis 2014.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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