Activation solution for electroless plating on dielectric layers
WO2009086230
Art A2
9. Juli 2009
Anmelder: Lam Research Corporation 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2009086230
- Aktenzeichen
- EP08868873
- Anmeldetag
- 20. Dezember 2008
- Veröffentlichung
- 9. Juli 2009
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C01B33/113B01J23/44C23C18/30
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Lam Research Corporation
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Lam Research
US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.
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