Activation solution for electroless plating on dielectric layers

WO2009086230 Art A2 9. Juli 2009

Anmelder: Lam Research Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2009086230
Aktenzeichen
EP08868873
Anmeldetag
20. Dezember 2008
Veröffentlichung
9. Juli 2009
Rechtsraum
WO
IPC
C01B33/113B01J23/44C23C18/30
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Lam Research Corporation
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

2.725 Patente in unserer Datenbank

Vertreten von

Kein Vertreter erfasst.

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen