Non-Volatile Memory Cell With Charge Storage Layer Formed in U-Shaped Groove

WO2009086433 Art A2 9. Juli 2009

Anmelder: Rambus Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009086433
Aktenzeichen: EP08868583
Anmeldetag: 23. Dezember 2008
Veröffentlichung: 9. Juli 2009
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/28H01L21/336H01L21/8246H01L21/8247H01L27/115H01L29/423H01L29/788H01L29/792G11C16/04

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Rambus Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Rambus Inc.

Rambus ist ein US-amerikanisches Halbleiter- und Technologieunternehmen mit Sitz in Kalifornien. Die Patente betreffen Speicherschnittstellen, Chip-Sicherheit und Datenübertragung.

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Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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