Single crystal producing device
WO2009087724
Art A1
16. Juli 2009
Anmelder: Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2009087724
- Aktenzeichen
- EP08869598
- Anmeldetag
- 18. Dezember 2008
- Veröffentlichung
- 16. Juli 2009
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C30B15/00C30B29/06
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Shin-Etsu Handotai Co., Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Shin-Etsu Handotai
Japanisches Unternehmen der Shin-Etsu-Gruppe, das Siliziumwafer für die Halbleiterindustrie herstellt.
1.022 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Kein Vertreter erfasst.