Method for manufacturing semiconductor device

WO2009087846 Art A1 16. Juli 2009

Anmelder: Renesas Electronics Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009087846
Aktenzeichen: EP08869577
Anmeldetag: 9. Dezember 2008
Veröffentlichung: 16. Juli 2009
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/027

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Renesas Electronics Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Renesas Electronics

Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Tokio, spezialisiert auf Mikrocontroller, analoge Bauelemente und Halbleiterlösungen unter anderem für die Automobil- und Industrieelektronik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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