Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements

WO2009087855 Art A1 16. Juli 2009

Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009087855
Aktenzeichen: EP08869574
Anmeldetag: 12. Dezember 2008
Veröffentlichung: 16. Juli 2009
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/301H01L21/338H01L21/66H01L29/47H01L29/778H01L29/812H01L29/872H01L33/00H01S5/323

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sumitomo Electric Industries, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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