Methods of forming nanodots using spacer patterning techniques and structures formed thereby

WO2009088587 Art A2 16. Juli 2009

Anmelder: Intel Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009088587
Aktenzeichen: EP08870101
Anmeldetag: 2. Dezember 2008
Veröffentlichung: 16. Juli 2009
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/027B82B3/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Intel Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Intel

US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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