3T High Density Nvdram Cell

WO2009088909 Art A2 16. Juli 2009

Anmelder: Cypress Semiconductor Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2009088909
Aktenzeichen
EP08870300
Anmeldetag
31. Dezember 2008
Veröffentlichung
16. Juli 2009
Rechtsraum
WO
IPC
G11C16/06G11C7/00
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Cypress Semiconductor Corporation
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 Cypress Semiconductor

Cypress Semiconductor war ein US-amerikanischer Halbleiterhersteller, der 2020 von Infineon Technologies übernommen wurde. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Software und Datenverarbeitung sowie Halbleiter und Nachrichtentechnik, ergänzt durch Datenspeicherung. Anmeldungen erstrecken sich von 2000 bis 2024.

561 Patente in unserer Datenbank

Vertreten von

Kein Vertreter erfasst.

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen