Low-Voltage, N-Channel Hybrid Transistors

WO2009089283 Art A2 16. Juli 2009

Anmelder: The Johns Hopkins University 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009089283
Aktenzeichen: EP09700528
Anmeldetag: 7. Januar 2009
Veröffentlichung: 16. Juli 2009
Rechtsraum: WO
IPC: H01L51/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: The Johns Hopkins University
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Johns Hopkins University

US-amerikanische Privatuniversität mit Sitz in Baltimore, Maryland. Die Johns Hopkins University betreibt Forschung in Medizin, Biotechnologie, Ingenieurwesen und Materialwissenschaften.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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