Method for growing group iii nitride crystal

WO2009090904 Art A1 23. Juli 2009

Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009090904
Aktenzeichen: EP09702680
Anmeldetag: 8. Januar 2009
Veröffentlichung: 23. Juli 2009
Rechtsraum: WO
IPC: C30B29/38C23C16/02C23C16/34C30B25/18H01L21/205

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sumitomo Electric Industries, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

11.182 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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