Capacitor, semiconductor device, method for manufacturing the capacitor, and method for manufacturing the semiconductor device
WO2009090979
Art A1
23. Juli 2009
Anmelder: Tokyo Electron Limited 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2009090979
- Aktenzeichen
- EP09701551
- Anmeldetag
- 15. Januar 2009
- Veröffentlichung
- 23. Juli 2009
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/822H01L21/8242H01L27/04H01L27/108
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Tokyo Electron Limited
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Tokyo Electron
Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.
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