Light emitting device using diode structure controlled by double gate, and semiconductor apparatus including the same

WO2009091176 Art A2 23. Juli 2009

Anmelder: SNU R&DB Foundation 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009091176
Aktenzeichen: EP09702720
Anmeldetag: 14. Januar 2009
Veröffentlichung: 23. Juli 2009
Rechtsraum: WO
IPC: H01L33/00H01L29/86

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SNU R&DB Foundation
Land: 🇰🇷 Südkorea

🇰🇷 SNU R&DB Foundation

Südkoreanische Stiftung der Seoul National University für Forschungsförderung und Technologietransfer, verwaltet Patente und Kooperationen mit der Industrie.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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