Non-volatile memory with reduced charge fluence

WO2009091623 Art A1 23. Juli 2009

Anmelder: Freescale Semiconductor, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009091623
Aktenzeichen: EP09702080
Anmeldetag: 5. Januar 2009
Veröffentlichung: 23. Juli 2009
Rechtsraum: WO
IPC: G11C16/34G11C16/10G11C16/16G11C16/12G11C16/14

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Freescale Semiconductor, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Freescale Semiconductor

Ehemaliger US-amerikanischer Halbleiterhersteller, hervorgegangen aus einem Spin-off von Motorola, mit Schwerpunkt auf Mikrocontrollern und eingebetteten Prozessoren. Seit 2015 Teil von NXP Semiconductors.

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Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung

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