Junction barrier schottky diode with highly-doped channel region and methods

WO2009091695 Art A1 23. Juli 2009

Anmelder: Northrop Grumman Systems Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009091695
Aktenzeichen: EP09702847
Anmeldetag: 12. Januar 2009
Veröffentlichung: 23. Juli 2009
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/872

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Northrop Grumman Systems Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Northrop Grumman

US-amerikanischer Rüstungs- und Luftfahrtkonzern mit Sitz in Virginia, tätig in den Bereichen Verteidigungselektronik, Flugzeugbau, Raumfahrt und Cybersicherheit.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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