Method of forming openings in a semiconductor device and a semiconductor device fabricated by the method

WO2009093102 Art A1 30. Juli 2009

Anmelder: Freescale Semiconductor, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009093102
Aktenzeichen: EP08737743
Anmeldetag: 23. Januar 2008
Veröffentlichung: 30. Juli 2009
Rechtsraum: WO
IPC: G03F7/40H01L21/311H01L21/027H01L21/033

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Freescale Semiconductor, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Freescale Semiconductor

Ehemaliger US-amerikanischer Halbleiterhersteller, hervorgegangen aus einem Spin-off von Motorola, mit Schwerpunkt auf Mikrocontrollern und eingebetteten Prozessoren. Seit 2015 Teil von NXP Semiconductors.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Optik & Fototechnik

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