Improved Phase Control in Hf- Or Zr-Based High-K Oxides

WO2009093171 Art A1 30. Juli 2009

Anmelder: NXP B.V. 🇳🇱

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009093171
Aktenzeichen: EP09704156
Anmeldetag: 20. Januar 2009
Veröffentlichung: 30. Juli 2009
Rechtsraum: WO
IPC: C23C16/40C23C16/455H01L21/314H01L21/316

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: NXP B.V.
Land: 🇳🇱 Niederlande

🇳🇱 NXP Semiconductors

Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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