Arrangement and approaches for adaptive gain photo detectors

WO2009093221 Art A2 30. Juli 2009

Anmelder: NXP B.V. 🇳🇱

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009093221
Aktenzeichen: EP09704849
Anmeldetag: 25. Januar 2009
Veröffentlichung: 30. Juli 2009
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/146

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: NXP B.V.
Land: 🇳🇱 Niederlande

🇳🇱 NXP Semiconductors

Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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