Field-effect transistor, method for manufacturing field-effect transistor, display device using field-effect transistor, and semiconductor device

WO2009093625 Art A1 30. Juli 2009

Anmelder: Idemitsu Kosan Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009093625
Aktenzeichen: EP09703775
Anmeldetag: 22. Januar 2009
Veröffentlichung: 30. Juli 2009
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/786H01L21/336

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Idemitsu Kosan Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Idemitsu Kosan

Japanisches Energie- und Chemieunternehmen mit Sitz in Tokio. Aktiv in Mineralölverarbeitung, petrochemischen Produkten, Schmierstoffen sowie Materialien für organische Leuchtdioden (OLED).

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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