Thin film transistor and method of producing same

WO2009093722 Art A1 30. Juli 2009

Anmelder: Canon Kabushiki Kaisha 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009093722
Aktenzeichen: EP09703783
Anmeldetag: 20. Januar 2009
Veröffentlichung: 30. Juli 2009
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/786

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Canon Kabushiki Kaisha
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Canon

Japanischer Konzern mit Sitz in Tokio, der Kameras, Objektive, Drucker, Kopiergeräte sowie optische und medizinische Bildgebungstechnik entwickelt und herstellt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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