Trench memory structures and operation

WO2009093992 Art A2 30. Juli 2009

Anmelder: Micron Technology, INC. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009093992
Aktenzeichen: EP07875258
Anmeldetag: 28. November 2007
Veröffentlichung: 30. Juli 2009
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/28H01L21/336G11C16/04

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Micron Technology, INC.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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