Method for integrating selective low-temperature ruthenium deposition into copper metallization of a semiconductor device

WO2009094325 Art A1 30. Juli 2009

Anmelder: Tokyo Electron Limited 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009094325
Aktenzeichen: EP09704830
Anmeldetag: 19. Januar 2009
Veröffentlichung: 30. Juli 2009
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/768H01L23/532

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Tokyo Electron Limited
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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