Method To Reduce Dislocation Density in Silicon

WO2009094526 Art A1 30. Juli 2009

Anmelder: Massachusetts Institute of Technology 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009094526
Aktenzeichen: EP09703290
Anmeldetag: 23. Januar 2009
Veröffentlichung: 30. Juli 2009
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/324H01L31/042H01L31/04

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Massachusetts Institute of Technology
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Massachusetts Institute of Technology

US-amerikanische Universität mit Sitz in Cambridge, Massachusetts, eine der weltweit führenden Forschungseinrichtungen. Aktiv in nahezu allen technischen und naturwissenschaftlichen Feldern, darunter Informatik, Ingenieurwesen, Materialwissenschaften und Biotechnologie.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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