Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterstruktur
WO2009095173
Art A1
6. August 2009
Anmelder: Siltronic AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2009095173
- Aktenzeichen
- EP09707097
- Anmeldetag
- 21. Januar 2009
- Veröffentlichung
- 6. August 2009
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L33/00H01L21/265
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Siltronic AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Siltronic
Deutscher Halbleiterzulieferer mit Sitz in München. Siltronic stellt hochreine Siliziumwafer für die Chip- und Elektronikindustrie her.
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