Aln heteroepitaxial crystal, method for producing the same, base substrate for group iii nitride film using the crystal, light-emitting device, surface acoustic wave device, and sputtering apparatus

WO2009096270 Art A1 6. August 2009

Anmelder: Canon Anelva Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009096270
Aktenzeichen: EP09706352
Anmeldetag: 21. Januar 2009
Veröffentlichung: 6. August 2009
Rechtsraum: WO
IPC: C30B29/38C23C14/06C23C14/34C30B25/06H01L21/203H03H9/25

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Canon Anelva Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Canon Anelva

Canon Anelva ist ein japanischer Hersteller von Vakuum- und Beschichtungsanlagen für die Halbleiterindustrie und Teil des Canon-Konzerns. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Metallurgie und Oberflächentechnik, ergänzt um Schaltungstechnik. Anmeldungen decken den Zeitraum 2000 bis 2024 ab.

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Fachgebiete

Elektronik & Schaltungstechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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