Zno substrate, method for processing zno substrate, and zno semiconductor device

WO2009096530 Art A1 6. August 2009

Anmelder: Rohm Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009096530
Aktenzeichen: EP09706464
Anmeldetag: 30. Januar 2009
Veröffentlichung: 6. August 2009
Rechtsraum: WO
IPC: C30B29/22H01L21/3065

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Rohm Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Rohm

Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kyoto, spezialisiert auf integrierte Schaltkreise, diskrete Halbleiterbauelemente und Leistungshalbleiter (unter anderem Siliziumkarbid-Bauteile).

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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