Method for forming trench isolation structure

WO2009096603 Art A1 6. August 2009

Anmelder: JSR Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009096603
Aktenzeichen: EP09705548
Anmeldetag: 30. Januar 2009
Veröffentlichung: 6. August 2009
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/76H01L21/312

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: JSR Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 JSR Corporation

JSR Corporation ist ein japanisches Chemieunternehmen, das synthetische Kautschuke sowie Materialien für die Halbleiter- und Displayindustrie herstellt.

1.781 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von