Iii nitride semiconductor epitaxial substrate and method for manufacturing the same
WO2009098979
Art A1
13. August 2009
Anmelder: Showa Denko K.K. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2009098979
- Aktenzeichen
- EP09707856
- Anmeldetag
- 28. Januar 2009
- Veröffentlichung
- 13. August 2009
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C30B29/38C23C16/04C23C16/34C30B25/04H01L21/205H01L31/10H01L33/00H01S5/02
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Showa Denko K.K.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Showa Denko
Japanisches Chemieunternehmen mit Sitz in Tokio, seit 2023 als Resonac Holdings firmierend. Aktiv in Petrochemie, Elektronikmaterialien, Batteriematerialien sowie Halbleiterchemikalien.
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