Thin film device, fabrication method for same, and electronic component

WO2009098996 Art A1 13. August 2009

Anmelder: Zeon Corporation, Incorporated National University Iwate University 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009098996
Aktenzeichen: EP09708008
Anmeldetag: 29. Januar 2009
Veröffentlichung: 13. August 2009
Rechtsraum: WO
IPC: H01M10/40H01L21/312H01L21/336H01L29/786H01L51/05H01L51/30H01M2/02

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Zeon Corporation
Incorporated National University Iwate University
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Zeon

Japanisches Chemieunternehmen mit Sitz in Tokio. Zeon Corporation entwickelt synthetische Kautschuke, Spezialchemikalien und Elastomere für Anwendungen in Automobil-, Elektronik- und Batterieindustrie.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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