Deposition method and method for manufacturing light-emitting device

WO2009099002 Art A1 13. August 2009

Anmelder: Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2009099002
Aktenzeichen
EP09709289
Anmeldetag
23. Januar 2009
Veröffentlichung
13. August 2009
Rechtsraum
WO
IPC
C23C14/04C23C14/28H01L51/50H05B33/10
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd.
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Semiconductor Energy Laboratory

Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.

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