Method for insulating film formation, storage medium from which information is readable with computer, and treatment system

WO2009099254 Art A1 13. August 2009

Anmelder: Tokyo Electron Limited 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009099254
Aktenzeichen: EP09709402
Anmeldetag: 6. Februar 2009
Veröffentlichung: 13. August 2009
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/316C23C16/42C23C16/56H01L21/31H01L21/336H01L29/786

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Tokyo Electron Limited
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

2.414 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von