State retaining power gated latch and method therefor

WO2009099499 Art A2 13. August 2009

Anmelder: Freescale Semiconductor, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009099499
Aktenzeichen: EP08872176
Anmeldetag: 31. Dezember 2008
Veröffentlichung: 13. August 2009
Rechtsraum: WO
IPC: H03K3/356

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Freescale Semiconductor, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Freescale Semiconductor

Ehemaliger US-amerikanischer Halbleiterhersteller, hervorgegangen aus einem Spin-off von Motorola, mit Schwerpunkt auf Mikrocontrollern und eingebetteten Prozessoren. Seit 2015 Teil von NXP Semiconductors.

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Fachgebiete

Elektronik & Schaltungstechnik

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