Adjustable gap capacitively coupled rf plasma reactor including lateral bellows and non-contact particle seal
WO2009099660
Art A2
13. August 2009
Anmelder: LAM Research Corporation 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2009099660
- Aktenzeichen
- EP09708491
- Anmeldetag
- 6. Februar 2009
- Veröffentlichung
- 13. August 2009
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/3065H05H1/34
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- LAM Research Corporation
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Lam Research
US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.
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