Substrate for epitaxial growth, process for producing gan-base semiconductor film, gan-base semiconductor film, process for producing gan-base semiconductor luminescent element, and gan-base semiconductor luminescent element

WO2009102033 Art A1 20. August 2009

Anmelder: Mitsubishi Chemical Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009102033
Aktenzeichen: EP09710909
Anmeldetag: 13. Februar 2009
Veröffentlichung: 20. August 2009
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/205C23C16/34C30B29/38H01L33/00H01S5/323

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Mitsubishi Chemical Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Mitsubishi Chemical

Japanisches Chemieunternehmen mit Sitz in Tokio, Teil der Mitsubishi-Chemical-Gruppe. Das Unternehmen entwickelt Grund- und Spezialchemikalien, Kunststoffe, Materialien für Elektronik und Energiespeicher sowie Pharma- und Life-Science-Produkte.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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