Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

WO2009104343 Art A1 27. August 2009

Anmelder: Renesas Technology Corp. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009104343
Aktenzeichen: EP08872619
Anmeldetag: 25. Dezember 2008
Veröffentlichung: 27. August 2009
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/82H01L21/3205H01L21/768H01L21/822H01L21/8246H01L23/52H01L27/04H01L27/105

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Renesas Technology Corp.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Renesas Technology

Renesas Technology war ein japanischer Halbleiterhersteller und Vorgängerunternehmen der heutigen Renesas Electronics. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Software, ergänzt um Datenspeicher- und Schaltungstechnik. Anmeldungen stammen aus den Jahren 2000 bis 2009.

421 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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