Oxide Perovskite Thin Film El Element

WO2009104595 Art A1 27. August 2009

Anmelder: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009104595
Aktenzeichen: EP09712778
Anmeldetag: 17. Februar 2009
Veröffentlichung: 27. August 2009
Rechtsraum: WO
IPC: H05B33/14C09K11/00C09K11/67H01L51/50H05B33/02H05B33/26H05B33/28

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 National Institute of Advanced Industrial Science and Technology

Staatliches japanisches Forschungsinstitut (AIST), das breit angelegte angewandte Forschung in Bereichen wie Materialwissenschaft, Energie, Elektronik und Biotechnologie betreibt.

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Fachgebiete

Elektronik & Schaltungstechnik Farben, Klebstoffe & Brennstoffe Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von